クローンの法則(★★)

\displaystyle F= \frac{Q1 \cdot Q2}{4 \pi \cdot \epsilon_0 \cdot r^2} (N)

コンデンサの電界と電圧

\displaystyle E=\frac{Q}{\epsilon \cdot S} (V/m)
\displaystyle C=\epsilon_0 \frac{S}{d} (F)

コンデンサの並列接続

並列に接続された各コンデンサの電荷は各コンデンサの容量比に等しい \displaystyle Q=CV

コンデンサの直列接続

各コンデンサの電荷量は等しい

コンデンサに蓄えられるエネルギー

\displaystyle W=\frac{1}{2}CV^2
\displaystyle W=\frac{Q^2}{2C}

磁束密度

\displaystyle B=\frac{\phi (Wb)}{S(m^2)} (A/m) (T:テスラ)
B=\mu_0 H (A/m)

電磁力の大きさ

F=B \cdot l \cdot I
B:磁束密度 l:長さ  I:電流(A)

電磁誘導

\displaystyle e=-N\frac{\mathit{\Delta}  \phi}{\mathit{\Delta} t} (V)
⊿φ:磁束の変化量 ⊿t:磁束変化にかかった時間

自己インダクタンスの計算

LI=N \phi
\displaystyle L=\frac{N}{Rm}
L:自己インダクタンス(H) I:電流(A) N:巻数 φ:磁束(Wb) Rm:磁気抵抗

共振回路

直列共振回路・並列共振回路

\displaystyle f_0=\frac{1}{2 \pi \sqrt{LC}}

Y-Δ変換

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三相交流回路の電力を測定(二電力計法)

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P=P1+P2 逆にメーターが振れたときは-P2とする

リサジュー

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垂直方向:元の信号 水平方向:計る信号

1Cの電荷を運ぶときになす仕事が1J  → 1V

ローレンツ力

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e:電子 磁界中に電子が飛び込んだときに働く力はローレンツ力

ヒステリシスループ

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Brが大きく保持力が大きい強磁性体:永久磁石 Brが大きく保持力が小さい強磁性体:電磁石

インダクタンスのエネルギー

\displaystyle WL=\frac{1}{2}LI^2